AOT8N80L_001
Modelo do Produto:
AOT8N80L_001
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17308 Pieces
Ficha de dados:
AOT8N80L_001.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.63 Ohm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):245W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:AOT8N80L_001
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1650pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 7.4A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.4A (Tc)
Email:[email protected]

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