AOTF10N90
AOTF10N90
Modelo do Produto:
AOTF10N90
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14667 Pieces
Ficha de dados:
1.AOTF10N90.pdf2.AOTF10N90.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3F
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:980 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):50W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:AOTF10N90
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3160pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:75nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 900V 10A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição:MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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