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APT34N80B2C3G
- Modelo do Produto:
- APT34N80B2C3G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12077 Pieces
- Ficha de dados:
- APT34N80B2C3G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para APT34N80B2C3G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para APT34N80B2C3G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 2mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | T-MAX™ [B2] |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 145 mOhm @ 22A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 417W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 Variant |
| Outros nomes: | APT34N80B2C3GMI APT34N80B2C3GMI-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | APT34N80B2C3G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4510pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 355nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 800V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 800V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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