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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
APT45GP120B2DQ2G
Modelo do Produto:
APT45GP120B2DQ2G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13290 Pieces
Ficha de dados:
APT45GP120B2DQ2G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:3.9V @ 15V, 45A
Condição de teste:600V, 45A, 5 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:18ns/100ns
Alternando Energia:900µJ (on), 905µJ (off)
Série:POWER MOS 7®
Power - Max:625W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3 Variant
Outros nomes:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APT45GP120B2DQ2G
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:185nC
Descrição expandida:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
Descrição:IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Atual - Collector Pulsada (ICM):170A
Atual - Collector (Ic) (Max):113A
Email:[email protected]

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