APT58M80J
APT58M80J
Modelo do Produto:
APT58M80J
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14510 Pieces
Ficha de dados:
1.APT58M80J.pdf2.APT58M80J.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 43A, 10V
Dissipação de energia (Max):960W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes:APT58M80JMI
APT58M80JMI-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APT58M80J
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17550pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:570nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 58A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:58A
Email:[email protected]

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