APTC60AM35T1G
Modelo do Produto:
APTC60AM35T1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15393 Pieces
Ficha de dados:
1.APTC60AM35T1G.pdf2.APTC60AM35T1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 5.4mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:35 mOhm @ 72A, 10V
Power - Max:416W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTC60AM35T1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:518nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:72A
Email:[email protected]

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