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APTC60DAM35T1G
- Modelo do Produto:
- APTC60DAM35T1G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 72A SP1
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19024 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.APTC60DAM35T1G.pdf2.APTC60DAM35T1G.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 5.4mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SP1 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 35 mOhm @ 72A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 416W (Tc) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SP1 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | APTC60DAM35T1G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 518nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 72A 416W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 72A SP1 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 72A |
| Email: | [email protected] |
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