APTGT50DH120T3G
Modelo do Produto:
APTGT50DH120T3G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOD IGBT 1200V 75A SP3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19900 Pieces
Ficha de dados:
APTGT50DH120T3G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP3
Série:-
Power - Max:277W
Caixa / Gabinete:SP3
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:Yes
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTGT50DH120T3G
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:3.6nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição expandida:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP3
Descrição:MOD IGBT 1200V 75A SP3
Atual - Collector Cutoff (Max):250µA
Atual - Collector (Ic) (Max):75A
Configuração:Asymmetrical Bridge
Email:[email protected]

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