APTM100DAM90G
Modelo do Produto:
APTM100DAM90G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17065 Pieces
Ficha de dados:
1.APTM100DAM90G.pdf2.APTM100DAM90G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:105 mOhm @ 39A, 10V
Dissipação de energia (Max):1250W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP6
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTM100DAM90G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:20700pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:744nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 78A 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:78A
Email:[email protected]

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