APTM50DHM35G
Modelo do Produto:
APTM50DHM35G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18625 Pieces
Ficha de dados:
1.APTM50DHM35G.pdf2.APTM50DHM35G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:39 mOhm @ 49.5A, 10V
Power - Max:781W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP6
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APTM50DHM35G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 500V 99A 781W Chassis Mount SP6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:99A
Email:[email protected]

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