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APTM60A11FT1G
- Modelo do Produto:
- APTM60A11FT1G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19509 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.APTM60A11FT1G.pdf2.APTM60A11FT1G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para APTM60A11FT1G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para APTM60A11FT1G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SP1 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 132 mOhm @ 33A, 10V |
| Power - Max: | 390W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SP1 |
| Outros nomes: | APTM60A11UT1G APTM60A11UT1G-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | APTM60A11FT1G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10552pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 40A |
| Email: | [email protected] |
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