APTSM120AM14CD3AG
Modelo do Produto:
APTSM120AM14CD3AG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
POWER MODULE - SIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15788 Pieces
Ficha de dados:
APTSM120AM14CD3AG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 9mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:Module
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:11 mOhm @ 180A, 20V
Power - Max:2140W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Module
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTSM120AM14CD3AG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 1000V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1224nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica FET:Silicon Carbide (SiC)
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 337A (Tc) 2140W Chassis Mount Module
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição:POWER MODULE - SIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:337A (Tc)
Email:[email protected]

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