BBL4001-1E
BBL4001-1E
Modelo do Produto:
BBL4001-1E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 74A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17235 Pieces
Ficha de dados:
BBL4001-1E.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.1 mOhm @ 37A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta), 35W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:BBL4001-1E-ND
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:BBL4001-1E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6900pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:135nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 74A (Ta) 2W (Ta), 35W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 74A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:74A (Ta)
Email:[email protected]

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