BBS3002-DL-1E
BBS3002-DL-1E
Modelo do Produto:
BBS3002-DL-1E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15419 Pieces
Ficha de dados:
BBS3002-DL-1E.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.8 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max):90W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:BBS3002-DL-1E-ND
BBS3002-DL-1EOSTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:4 Weeks
Número de peça do fabricante:BBS3002-DL-1E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13200pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 100A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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