BSC026NE2LS5ATMA1
BSC026NE2LS5ATMA1
Modelo do Produto:
BSC026NE2LS5ATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14709 Pieces
Ficha de dados:
BSC026NE2LS5ATMA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TDSON-8
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.6 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.5W (Ta), 29W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:BSC026NE2LS5ATMA1-ND
BSC026NE2LS5ATMA1TR
SP001212432
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:BSC026NE2LS5ATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 12V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 25V 24A (Ta), 82A (Tc) 2.5W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):25V
Descrição:MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 82A (Tc)
Email:[email protected]

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