BSO615CT
BSO615CT
Modelo do Produto:
BSO615CT
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16637 Pieces
Ficha de dados:
BSO615CT.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 20µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-DSO-8
Série:SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:110 mOhm @ 3.1A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:BSO615CXTINTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante:BSO615CT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22.5nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.1A, 2A
Email:[email protected]

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