BSS169H6327XTSA1
Modelo do Produto:
BSS169H6327XTSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16939 Pieces
Ficha de dados:
BSS169H6327XTSA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.8V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-SOT23-3
Série:SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 Ohm @ 170mA, 10V
Dissipação de energia (Max):360mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:BSS169 H6327
BSS169 H6327-ND
BSS169 H6327TR
BSS169 H6327TR-ND
SP000702572
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:BSS169H6327XTSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:68pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.8nC @ 7V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Descrição expandida:N-Channel 100V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:170mA (Ta)
Email:[email protected]

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