BUK951R9-40E,127
BUK951R9-40E,127
Modelo do Produto:
BUK951R9-40E,127
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15805 Pieces
Ficha de dados:
BUK951R9-40E,127.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.7 mOhm @ 25A, 10V
Dissipação de energia (Max):349W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BUK951R9-40E,127
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:16400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:120nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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