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BUZ30AH3045AATMA1
- Modelo do Produto:
- BUZ30AH3045AATMA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17652 Pieces
- Ficha de dados:
- BUZ30AH3045AATMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BUZ30AH3045AATMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BUZ30AH3045AATMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO263-3 |
| Série: | SIPMOS® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 125W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | BUZ30A H3045A BUZ30A L3045A BUZ30A L3045A-ND BUZ30AH3045AINTR BUZ30AH3045AINTR-ND BUZ30AL3045AINTR BUZ30AL3045AINTR-ND BUZ30AL3045AXT SP000102176 SP000736082 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BUZ30AH3045AATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1900pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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