BUZ32 H
BUZ32 H
Modelo do Produto:
BUZ32 H
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19264 Pieces
Ficha de dados:
BUZ32 H.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO-220-3
Série:SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:400 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):75W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:BUZ32 H
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.5A (Tc)
Email:[email protected]

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