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BYG10JHE3/TR3
- Modelo do Produto:
- BYG10JHE3/TR3
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descrição:
- DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12217 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.BYG10JHE3/TR3.pdf2.BYG10JHE3/TR3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BYG10JHE3/TR3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BYG10JHE3/TR3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.15V @ 1.5A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-214AC (SMA) |
| Velocidade: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 4µs |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DO-214AC, SMA |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BYG10JHE3/TR3 |
| Descrição expandida: | Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Tipo Diode: | Avalanche |
| Descrição: | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 1.5A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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