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C2M0280120D
- Modelo do Produto:
- C2M0280120D
- Fabricante:
- Cree
- Descrição:
- MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15505 Pieces
- Ficha de dados:
- C2M0280120D.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para C2M0280120D, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para C2M0280120D por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247-3 |
| Série: | Z-FET™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 370 mOhm @ 6A, 20V |
| Dissipação de energia (Max): | 62.5W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | C2M0280120D |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 259pF @ 1000V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.4nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 1200V (1.2kV) 10A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 20V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição: | MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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