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CGHV1F025S
- Modelo do Produto:
- CGHV1F025S
- Fabricante:
- Cree
- Descrição:
- FET RF 100V 6GHZ 12DFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19404 Pieces
- Ficha de dados:
- CGHV1F025S.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para CGHV1F025S, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para CGHV1F025S por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Teste: | 40V |
|---|---|
| Tensão - M: | 100V |
| Tipo transistor: | HEMT |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 12-DFN (4x3) |
| Série: | GaN |
| Potência: | 29W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 12-VFDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | CGHV1F025STR |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | CGHV1F025S |
| Ganho: | 16dB |
| Freqüência: | 6GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet HEMT 40V 150mA 6GHz 16dB 29W 12-DFN (4x3) |
| Descrição: | FET RF 100V 6GHZ 12DFN |
| Potência nominal: | 2A |
| Atual - Teste: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
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