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CPMF-1200-S080B
- Modelo do Produto:
- CPMF-1200-S080B
- Fabricante:
- Cree
- Descrição:
- MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19072 Pieces
- Ficha de dados:
- CPMF-1200-S080B.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para CPMF-1200-S080B, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para CPMF-1200-S080B por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -5V |
| Tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die |
| Série: | Z-FET™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Dissipação de energia (Max): | 313mW (Tj) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | CPMF-1200-S080B |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1915pF @ 800V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 1200V (1.2kV) 50A (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount Die |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 20V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição: | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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