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Casa > Produtos > IC de gerenciamento de energia > IC de gerenciamento de energia - Drivers de porta > CS8312YDR8
CS8312YDR8
Modelo do Produto:
CS8312YDR8
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
15545 Pieces
Ficha de dados:
CS8312YDR8.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - Fornecimento:7 V ~ 10 V
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOIC
Série:-
Aumento / tempo de queda (típico):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:CS8312YDR8OS
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Frequência de entrada:1
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:CS8312YDR8
Tensão lógica - VIL, VIH:-
Tipo de entrada:Non-Inverting
Tipo de portão:IGBT, N-Channel MOSFET
Descrição expandida:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Configuração Driven:Low-Side
Descrição:IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
Corrente - Saída de Pico (Fonte, Pia):-
Base-saturação do emissor Tensão (Max):Single
Email:[email protected]

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