CSD17577Q3AT
Modelo do Produto:
CSD17577Q3AT
Fabricante:
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18728 Pieces
Ficha de dados:
CSD17577Q3AT.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.8V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-VSONP (3x3.15)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.8 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 53W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:296-38336-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD17577Q3AT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2310pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 35A (Ta) 2.8W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (3x3.15)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Ta)
Email:[email protected]

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