CSD19506KTTT
Modelo do Produto:
CSD19506KTTT
Fabricante:
Descrição:
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13595 Pieces
Ficha de dados:
CSD19506KTTT.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DDPAK/TO-263-3
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):375W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):2 (1 Year)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD19506KTTT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12200pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:156nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição:IC MOSFET N-CH 80V TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200A (Ta)
Email:[email protected]

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