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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > CSD19531Q5A
CSD19531Q5A
Modelo do Produto:
CSD19531Q5A
Fabricante:
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
15871 Pieces
Ficha de dados:
CSD19531Q5A.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-VSON (5x6)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.4 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.3W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:296-41232-2
CSD19531Q5A-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD19531Q5A
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3870pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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