CSD25304W1015
Modelo do Produto:
CSD25304W1015
Fabricante:
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19542 Pieces
Ficha de dados:
CSD25304W1015.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.15V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-DSBGA
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):750mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UFBGA, DSBGA
Outros nomes:296-40005-2
CSD25304W1015-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD25304W1015
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:595pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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