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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > CSD87312Q3E
CSD87312Q3E
Modelo do Produto:
CSD87312Q3E
Fabricante:
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
15436 Pieces
Ficha de dados:
CSD87312Q3E.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-VSON (3.3x3.3)
Série:NexFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 7A , 8V
Power - Max:2.5W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:296-35526-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:CSD87312Q3E
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:27A
Email:[email protected]

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