DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
Modelo do Produto:
DMG8601UFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17870 Pieces
Ficha de dados:
DMG8601UFG-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.05V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:U-DFN3030-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power - Max:920mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerUDFN
Outros nomes:DMG8601UFG-7DITR
DMG8601UFG7
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMG8601UFG-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:143pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8.8nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.1A
Email:[email protected]

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