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DMJ70H1D3SJ3
- Modelo do Produto:
- DMJ70H1D3SJ3
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição:
- MOSFET N-CH TO251
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12914 Pieces
- Ficha de dados:
- DMJ70H1D3SJ3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para DMJ70H1D3SJ3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para DMJ70H1D3SJ3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-251 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 41W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 8 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | DMJ70H1D3SJ3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 351pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13.9nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 700V |
| Descrição: | MOSFET N-CH TO251 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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