DMN2005LP4K-7
DMN2005LP4K-7
Modelo do Produto:
DMN2005LP4K-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16118 Pieces
Ficha de dados:
DMN2005LP4K-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:900mV @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:X2-DFN1006-3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipação de energia (Max):400mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-XFDFN
Outros nomes:DMN2005LP4K7
DMN2005LP4KDITR
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMN2005LP4K-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:41pF @ 3V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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