DMN2008LFU-7
DMN2008LFU-7
Modelo do Produto:
DMN2008LFU-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17410 Pieces
Ficha de dados:
DMN2008LFU-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250A
Embalagem do dispositivo fornecedor:U-DFN2030-6 (Type B)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power - Max:1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-UFDFN Exposed Pad
Outros nomes:DMN2008LFU-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMN2008LFU-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1418pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:42.3nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 14.5A 1W Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:14.5A
Email:[email protected]

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