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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMT10H010LPS-13
DMT10H010LPS-13
DMT10H010LPS-13
Modelo do Produto:
DMT10H010LPS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 9.4A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14337 Pieces
Ficha de dados:
DMT10H010LPS-13.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI5060-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9.5 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.2W (Ta), 139W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:DMT10H010LPS-13DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMT10H010LPS-13
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:71nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 9.4A (Ta), 98A (Tc) 1.2W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 9.4A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.4A (Ta), 98A (Tc)
Email:[email protected]

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