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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMT10H014LSS-13
DMT10H014LSS-13
DMT10H014LSS-13
Modelo do Produto:
DMT10H014LSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13088 Pieces
Ficha de dados:
DMT10H014LSS-13.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:15 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.2W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMT10H014LSS-13
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1871pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:33.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 8.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8.9A (Ta)
Email:[email protected]

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