DMT3009LDT-7
DMT3009LDT-7
Modelo do Produto:
DMT3009LDT-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19658 Pieces
Ficha de dados:
DMT3009LDT-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:V-DFN3030-8 (Type K)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Power - Max:1.2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:DMT3009LDT-7-ND
DMT3009LDT-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMT3009LDT-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 15V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 30A 1.2W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

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