DMT6009LFG-7
DMT6009LFG-7
Modelo do Produto:
DMT6009LFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 11A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15842 Pieces
Ficha de dados:
DMT6009LFG-7.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI3333-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 13.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:DMT6009LFG-7DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMT6009LFG-7
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1925pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:33.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 11A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 34A (Tc)
Email:[email protected]

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