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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > DMTH6010LPD-13
DMTH6010LPD-13
DMTH6010LPD-13
Modelo do Produto:
DMTH6010LPD-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14268 Pieces
Ficha de dados:
DMTH6010LPD-13.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI5060-8
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:11 mOhm @ 20A, 10V
Power - Max:2.8W
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:DMTH6010LPD-13DIDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:DMTH6010LPD-13
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2615pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40.2nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) 2.8W Surface Mount PowerDI5060-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Email:[email protected]

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