DMTH6016LPSQ-13
DMTH6016LPSQ-13
Modelo do Produto:
DMTH6016LPSQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13176 Pieces
Ficha de dados:
DMTH6016LPSQ-13.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerDI5060-8
Série:Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:DMTH6016LPSQ-13DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:DMTH6016LPSQ-13
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:864pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 9.8A (Ta), 37A (Tc) 2.6W (Ta), 37.5W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.8A (Ta), 37A (Tc)
Email:[email protected]

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