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EMF5XV6T5G
- Modelo do Produto:
- EMF5XV6T5G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14593 Pieces
- Ficha de dados:
- EMF5XV6T5G.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V, 12V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-563 |
| Série: | - |
| Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms): | 47k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms): | 47k |
| Power - Max: | 500mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | EMF5XV6T5G-ND EMF5XV6T5GOSTR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 13 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | EMF5XV6T5G |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição expandida: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| Descrição: | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
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