EMG11T2R - Rohm Semiconductor - Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende EMG11T2R

EMG11T2R

Modelo do Produto:: EMG11T2R

Fabricante:: LAPIS Semiconductor

Descrição:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Status sem chumbo / Status RoHS:: Sem chumbo / acordo com RoHS

Quantidade disponível:: 15633 Pieces

Ficha de dados:: EMG11T2R.pdf

inquérito

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para EMG11T2R, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para EMG11T2R por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.

Comprar EMG11T2R com BYCHPS

Compre com garantia

Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):	50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:	EMT5
Série:	-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):	47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):	2.2k
Power - Max:	150mW
Embalagem:	Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Outros nomes:	EMG11T2RTR
Tipo de montagem:	Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):	1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:	10 Weeks
Número de peça do fabricante:	EMG11T2R
Frequência - Transição:	250MHz
Descrição expandida:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Descrição:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:	80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):	500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

Peças relacionadas para EMG11T2R

Imagem	Modelo do Produto	Fabricantes	Descrição	Visão
	XP0621500L	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6	inquérito
	XP0121000L	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5	inquérito

Introdução

Especificações

Pedido de Orçamento Rápido

Latest Notícias