EMG2DXV5T5G
EMG2DXV5T5G
Modelo do Produto:
EMG2DXV5T5G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15648 Pieces
Ficha de dados:
EMG2DXV5T5G.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-553
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):47k
Resistor - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:230mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-553
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:5 Weeks
Número de peça do fabricante:EMG2DXV5T5G
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
Descrição:TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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