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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2012
EPC2012
EPC2012
Modelo do Produto:
EPC2012
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15514 Pieces
Ficha de dados:
EPC2012.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 3A, 5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-1017-1
Temperatura de operação:-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:EPC2012
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:145pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.8nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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