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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2022ENGRT
EPC2022ENGRT
EPC2022ENGRT
Modelo do Produto:
EPC2022ENGRT
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14306 Pieces
Ficha de dados:
EPC2022ENGRT.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 12mA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.2 mOhm @ 25A, 5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-1140-1
917-1140-1-ND
917-EPC2022ENGRCT\
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:EPC2022ENGRT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 90A (Ta) Surface Mount Die
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:90A (Ta)
Email:[email protected]

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