Comprar EPC2815 com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 9mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | +6V, -5V |
| Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Die |
| Série: | eGaN® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4 mOhm @ 33A, 5V |
| Dissipação de energia (Max): | - |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | Die |
| Outros nomes: | 917-1036-6 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | EPC2815 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1200pF @ 20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.6nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
| Descrição: | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 33A (Ta) |
| Email: | [email protected] |