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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC8009ENGR
EPC8009ENGR
EPC8009ENGR
Modelo do Produto:
EPC8009ENGR
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16117 Pieces
Ficha de dados:
1.EPC8009ENGR.pdf2.EPC8009ENGR.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:138 mOhm @ 500mA, 5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-EPC8009ENGR
EPC8009ENGG
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:EPC8009ENGR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:47pF @ 32.5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.38nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die
Escorra a tensão de fonte (Vdss):65V
Descrição:TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.1A (Ta)
Email:[email protected]

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