FDD6680
FDD6680
Modelo do Produto:
FDD6680
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14758 Pieces
Ficha de dados:
FDD6680.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-PAK (TO-252AA)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.3W (Ta), 56W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDD6680
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1230pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 12A (Ta), 46A (Tc) 3.3W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 46A (Tc)
Email:[email protected]

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