FDMC86160ET100
Modelo do Produto:
FDMC86160ET100
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 9A POWER33
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14640 Pieces
Ficha de dados:
FDMC86160ET100.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Power33
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 65W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerWDFN
Outros nomes:FDMC86160ET100TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:FDMC86160ET100
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1290pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 9A (Ta), 43A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 9A POWER33
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta), 43A (Tc)
Email:[email protected]

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