FDME910PZT
FDME910PZT
Modelo do Produto:
FDME910PZT
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16503 Pieces
Ficha de dados:
FDME910PZT.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:MicroFet 1.6x1.6 Thin
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:24 mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-PowerUFDFN
Outros nomes:FDME910PZTTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:FDME910PZT
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2110pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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